삼성전자 DS부문 ~) 면접족보.pdf 파일정보
삼성전자 DS부문 ~체 연구소 면접족보 자료설명
삼성전자 DS부문 ~026 | 파일받기 자료의 목차
Q1. 반도체 연구소 공정기술 직무에 지원한 동기와 본인이 적임자인 이유는 무엇인가요 Q2. 차세대 미세공정(GAA, 3D NAND 등) 구현 시 극복해야 할 주요 공정 한계는 무엇인가요 Q3. EUV 노광 공정 도입 시 발생하는 Stochastic 에러와 해결 방안을 설명해 보세요. Q4. High-k Metal Gate(HKMG) 공정에서 leakage current를 감소시키는 원리는 무엇인가요 Q5. 식각 공정(Etch) 시 발생하는 Aspect Ratio Dependent Etching(ARDE) 현상과 대책은 Q6. ALD(원자층 증착) 기술의 장단점 및 CVD 기술과의 구조적 차이점을 설명하세요. Q7. CMP 공정 후 발생하는 Scratches 및 Erosion 불량을 줄이기 위한 인자는 무엇인가요 Q8. 박막 공정 중 발생할 수 있는 Thermal Budget 문제를 최소화하기 위한 방안은 무엇인가요 Q9. 플라즈마 식각 시
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Q1. 반도체 연구소 공정기술 직무에 지원한 동기와 본인이 적임자인 이유는 무엇인가요
삼성전자 반도체연구소는 초미세 공정 한계를 극복하며 글로벌 반도체 기술을 선도하는 핵심 거점으로서, 저의 반도체 물성 지식과 공정 실험 역량을 바탕으로 차세대 소자 구현에 직접 기여하고자 지원하게 되었으며, 전공 과정에서 반도체 공정학 및 박막공학을 수강하며 플라즈마 반응과 박막 증착 메커니즘을 깊이 있게 이해하였고, 소자 제작 프로젝트를 통해 공정 파라미터 변화에 따른 Electrical Property의 변동성을 체계적으로 분석한 경험을 보유하고 있으며, 이러한 과정에서 발생한 박막 박리 현상을 분석하기 위해 Annealing 온도 조건을 최적화하고 인터페이스의 결함을 개선함으로써 박막의 접착력과 전기적 특성을 동시에 향상시키는 성과를 도출하였고, 신기술 개발 과정에서 직면하는 독성 문제나 수율 저해 요인을 다각도로 분석해 내는 집요함과 데이터 기반의 문제 해결 논리를 확
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